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郑婉华

郑婉华

郑婉华,女,博士,研究员,博士生导师。1988年山东大学光学系毕业,1991年在中科院物理所获硕士学位,同年入中科院半导体研究所工作,1998年在香港浸会大学获理学博士学位。现任中科院半导体所学术委员会和学位委员会委员。曾先后在澳大利亚新南威尔士大学光电子实验室、日本横滨大学光电子实验室实验室、美国麻省理工大学光子学实验室、香港浸会大学材料中心等进行纳米材料、光子晶体材料与器件的研究。 长期从事半导体光电子材料与器件的研究,近年来,在硅基光子晶体和激光产生研究方面,采用硅基纳米结构材料,实现高Q值的光子晶体微腔,首次在国际上采用硅基光子晶体宽带隙材料,实现可见光的锁模脉冲激射,上述工作被作为前沿技术进展分别在LaserFocusWorld(2003.2)、Photonics等杂志报道;在III-V族半导体材料与器件的研究方面,在国内首次实现InP基光子晶体面发射、边发射微腔激光器的突破;在光子集成新技术方面,研制出国内首台具有自主知识产权的晶片键合、清洗系统。作为项目负责人和主要完成人承担和完成了"九.五"863、"十.五"863、自然科学基金等项目。发表论文八十余篇,拥有美国专利一项,申请国内专利十余项。目前作为课题负责人承担多项国家任务。

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郑婉华,女,博士,研究员,博士生导师。 1988年山东大学光学系毕业,1991年在中科院物理所获硕士学位,同年入中科院半导体研究所工作,1998年在香港浸会大学获理学博士学位。现任中科院半导体所学术委员会和学位委员会委员。曾先后在澳大利亚新南威尔士大学光电子实验室、日本横滨大学光电子实验室实验室、美国麻省理工大学光子学实验室、香港浸会大学材料中心等进行纳米材料、光子晶体材料与器件的研究。  长期从事半导体光电子材料与器件的研究,近年来,在硅基光子晶体和激光产生研究方面,采用硅基纳米结构材料,实现高Q值的光子晶体微腔,首次在国际上采用硅基光子晶体宽带隙材料,实现可见光的锁模脉冲激射,上述工作被作为前沿技术进展分别在Laser Focus World(2003.2)、Photonics等杂志报道;在III-V族半导体材料与器件的研究方面,在国内首次实现InP基光子晶体面发射、边发射微腔激光器的突破;在光子集成新技术方面,研制出国内首台具有自主知识产权的晶片键合、清洗系统。作为项目负责人和主要完成人承担和完成了"九.五"863、"十.五"863、自然科学基金等项目。发表论文八十余篇,拥有美国专利一项,申请国内专利十余项。目前作为课题负责人承担多项国家任务。